SQP-5W-5-0.33J

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SA1380	Биполярный транзистор PNP 200V, 0.1A, 5W, 150MHz (Comp. 2SC3502)	SANYO
2SA1380	Биполярный транзистор PNP 200V, 0.1A, 5W, 150MHz (Comp. 2SC3502)	SAN
2SA1380	Биполярный транзистор PNP 200V, 0.1A, 5W, 150MHz (Comp. 2SC3502)			103.32
2SA1380	Биполярный транзистор PNP 200V, 0.1A, 5W, 150MHz (Comp. 2SC3502)	КИТАЙ
2SC3502	Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz	SANYO
2SC3502	Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz	SAN
2SC3502	Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz			28.76
2SC3502	Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz	КИТАЙ
2SC3502	Биполярный транзистор NPN 200V, 0.1A, 5W, 150MHz	ISCSEMI
L6386D	Драйверы FET-IGBT ; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; ...	ST MICROELECTRONICS
L6386D	Драйверы FET-IGBT ; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; ...			480.00
L6386D	Драйверы FET-IGBT ; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; ...	STMicroelectronics
L6386D	Драйверы FET-IGBT ; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; ...	ST1
L6386D	Драйверы FET-IGBT ; Nнижн: 1; Nверхн: 1; Uoffset: 600 В; Iout+: 400 мА; Iout-: 650 мА; ...	4-7 НЕДЕЛЬ	39
MF-0.25-1.0 1%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
MF-0.25-1.0 1%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический		16	2.80
MF-0.25-270К 1%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
MF-0.25-270К 1%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический		8	4.00