| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1206-10.0K 1% |
|
ЧИП - резистор 10кОм, 1%, 0.25Вт
|
|
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
IRFZ34N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=29A@T=25C, Id=20A@T=100C, Rds=0.04 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
52
|
71.83
|
|
|
|
IRFZ34N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=29A@T=25C, Id=20A@T=100C, Rds=0.04 R, ...
|
|
|
65.64
|
|
|
|
IRFZ34N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=29A@T=25C, Id=20A@T=100C, Rds=0.04 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
92
|
|
|
|
|
IRFZ34N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=29A@T=25C, Id=20A@T=100C, Rds=0.04 R, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFZ34N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=29A@T=25C, Id=20A@T=100C, Rds=0.04 R, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
KVE-50-0.1 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 0.1мкФ, 50 В
|
ELNA
|
|
|
|
|
|
|
KVE-50-0.1 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 0.1мкФ, 50 В
|
KOME
|
|
|
|
|
|
|
KVE-50-0.1 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 0.1мкФ, 50 В
|
|
|
13.48
|
|
|
|
|
KVE-50-0.1 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 0.1мкФ, 50 В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
KVE-50-0.1 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 0.1мкФ, 50 В
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
NE555 |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
|
|
|
|
|
|
NE555 |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
-
|
21
|
|
|
|
|
NE555 |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
HOTTECH
|
112
|
2.55
|
|
|
|
NE555 |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
IDCHIP
|
8 084
|
3.27
|
|
|
|
NE555 |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
141
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 539
|
30.36
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
5 179
|
38.16
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ЭКСИТОН
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
VBYCR
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
7021
|
|
|
|
|
|
КТ973Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
9
|
|
|
|