|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BLS-6 |
|
Гнездо кабельное однорядное прямое 1х6 с контактами шагом 2.54мм
|
HSUAN MAO
|
|
|
|
|
|
BLS-6 |
|
Гнездо кабельное однорядное прямое 1х6 с контактами шагом 2.54мм
|
BM
|
395
|
11.72
|
|
|
|
BLS-6 |
|
Гнездо кабельное однорядное прямое 1х6 с контактами шагом 2.54мм
|
|
111
|
31.45
|
|
|
|
BLS-6 |
|
Гнездо кабельное однорядное прямое 1х6 с контактами шагом 2.54мм
|
|
111
|
31.45
|
|
|
|
BLS-6 |
|
Гнездо кабельное однорядное прямое 1х6 с контактами шагом 2.54мм
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BLS-6 |
|
Гнездо кабельное однорядное прямое 1х6 с контактами шагом 2.54мм
|
NXU
|
|
|
|
|
|
BLS-6 |
|
Гнездо кабельное однорядное прямое 1х6 с контактами шагом 2.54мм
|
NLT
|
|
|
|
|
|
BLS-6 |
|
Гнездо кабельное однорядное прямое 1х6 с контактами шагом 2.54мм
|
BB
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
YAGEO
|
6 966 059
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
|
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
YAGEO
|
20 644
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
32.13
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
4 290
|
11.56
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
|
|
RLB0914-681KL |
|
Индуктивность 680μH 0,4A 8,7x12mm
|
BOURNS
|
1 220
|
25.41
|
|
|
|
RLB0914-681KL |
|
Индуктивность 680μH 0,4A 8,7x12mm
|
|
|
|
|
|
|
SK025M0100BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 25 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
SK025M0100BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 25 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
SK025M0100BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 25 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SK025M0100BZF-0611 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 25 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|