| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
|
11 416
|
1.97
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
DC COMPONENTS
|
7 259
|
4.01
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
FAIRCHILD
|
2 512
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
MOTOROLA
|
49
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
HOTTECH
|
1 009
|
2.27
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
ST MICROELECTRONICS
|
4
|
1.20
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
TRR
|
1 800
|
1.17
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
UNKNOWN
|
208
|
5.23
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
KEEN SIDE
|
2 712
|
1.56
|
|
|
|
AD620AN |
|
Инструментальный усилитель. Ку=1..1000, Uсдв=30мкВ, 0.3мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...
|
ANALOG DEVICES
|
411
|
1 155.00
|
|
|
|
AD620AN |
|
Инструментальный усилитель. Ку=1..1000, Uсдв=30мкВ, 0.3мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...
|
|
5
|
462.50
|
|
|
|
AD620AN |
|
Инструментальный усилитель. Ку=1..1000, Uсдв=30мкВ, 0.3мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD620AN |
|
Инструментальный усилитель. Ку=1..1000, Uсдв=30мкВ, 0.3мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD620AN |
|
Инструментальный усилитель. Ку=1..1000, Uсдв=30мкВ, 0.3мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
AD620AN |
|
Инструментальный усилитель. Ку=1..1000, Uсдв=30мкВ, 0.3мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
656
|
|
|
|
|
AD620AN |
|
Инструментальный усилитель. Ку=1..1000, Uсдв=30мкВ, 0.3мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...
|
18
|
|
|
|
|
|
AD620AN |
|
Инструментальный усилитель. Ку=1..1000, Uсдв=30мкВ, 0.3мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...
|
496
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
2 892
|
1.68
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
85 584
|
1.06
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
485
|
2.06
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
8 296
|
2.30
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
9 219
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
11
|
2.73
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
1.39
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
55 244
|
1.06
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
195 546
|
2.07
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
XXW
|
46 975
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
CJ
|
8 000
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
64
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
MERRYELC
|
68
|
1.08
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HXY
|
1 600
|
1.50
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
3615
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
2 254
|
15.12
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
507
|
13.61
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
2 061
|
27.75
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
480
|
30.24
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
3 665
|
37.80
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1415
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
20
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
3147
|
|
|
|