| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
|
8 486
|
1.90
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
DC COMPONENTS
|
16 484
|
6.15
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
FAIRCHILD
|
2 512
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
MOTOROLA
|
49
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
HOTTECH
|
2 896
|
5.03
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
SEMTECH
|
4 000
|
1.21
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
SUNTAN
|
3 823
|
1.76
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
TRR
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4742A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
KEEN SIDE
|
168
|
1.55
|
|
|
|
AD620AN |
|
Инструментальный усилитель. Ку=1..1000, Uсдв=30мкВ, 0.3мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...
|
ANALOG DEVICES
|
411
|
626.50
|
|
|
|
AD620AN |
|
Инструментальный усилитель. Ку=1..1000, Uсдв=30мкВ, 0.3мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...
|
|
7
|
465.00
|
|
|
|
AD620AN |
|
Инструментальный усилитель. Ку=1..1000, Uсдв=30мкВ, 0.3мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD620AN |
|
Инструментальный усилитель. Ку=1..1000, Uсдв=30мкВ, 0.3мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD620AN |
|
Инструментальный усилитель. Ку=1..1000, Uсдв=30мкВ, 0.3мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
AD620AN |
|
Инструментальный усилитель. Ку=1..1000, Uсдв=30мкВ, 0.3мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
656
|
|
|
|
|
AD620AN |
|
Инструментальный усилитель. Ку=1..1000, Uсдв=30мкВ, 0.3мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...
|
18
|
|
|
|
|
|
AD620AN |
|
Инструментальный усилитель. Ку=1..1000, Uсдв=30мкВ, 0.3мкВ/°С, Iвх=0.5нА, Rвх=10ГОм, ...
|
496
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
2 812
|
1.43
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
73 904
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
309
|
3.94
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
2 927
|
2.30
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
1 201
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
11
|
2.76
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
1.40
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
36 740
|
3.23
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
333 285
|
2.44
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
XXW
|
39 180
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
CJ
|
8 000
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
48
|
1.03
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HXY
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
3615
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
10000
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
1500
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
2 140
|
17.64
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
507
|
14.84
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 796
|
27.90
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
1 012
|
32.79
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
3 665
|
32.22
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1415
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
20
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
3147
|
|
|
|