|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
LITE-ON
|
641
|
25.41
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
LIT
|
3 304
|
17.33
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
VISHAY
|
597
|
43.27
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
EVLT
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
EVERLIGH
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
EVERLIGHT
|
335
|
18.31
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
|
83
|
40.32
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
CT-MICRO
|
7 344
|
13.36
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
1
|
|
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
ANALOG DEVICES
|
1
|
625.17
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
|
1
|
1 500.66
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
США
|
|
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
1
|
|
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
736
|
|
|
|
|
DTSM-66K-V-B |
|
|
DPT
|
7 645
|
16.92
|
|
|
|
DTSM-66K-V-B |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
4
|
238.14
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
|
456
|
88.20
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
INTRESIL
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
IR/VISHAY
|
12
|
217.80
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
1
|
|
|
|
|
|
STM32F100C4T6B |
|
32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 898
|
402.95
|
|
|
|
STM32F100C4T6B |
|
32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...
|
|
141
|
349.42
|
|
|
|
STM32F100C4T6B |
|
32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STM32F100C4T6B |
|
32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STM32F100C4T6B |
|
32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
STM32F100C4T6B |
|
32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STM32F100C4T6B |
|
32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
STM32F100C4T6B |
|
32-битный микроконтроллер на ядре Cortex-M3, c широким набором периферии (12-битный ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
181
|
|
|