| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
ATTINY13A-SSU |
|
Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY13A-SSU |
|
Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC
|
|
5 689
|
69.59
|
|
|
|
|
ATTINY13A-SSU |
|
Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY13A-SSU |
|
Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY13A-SSU |
|
Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC
|
MICRO CHIP
|
2 200
|
154.98
|
|
|
|
|
ATTINY13A-SSU |
|
Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC
|
1
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY13A-SSU |
|
Микросхема AVR 8 бит. 1k FLASH 20МГц SOIC
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
510
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
|
20.24
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
TECH PUB
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
TRR
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TR |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
50 804
|
1.18
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
9 350
|
16.96
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
268
|
16.96
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
4 000
|
10.32
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
237
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
411
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
11645
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
335
|
|
|
|
|
|
|
SH025M3300B7F-1632 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 3300 мкФ 25 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SH025M3300B7F-1632 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 3300 мкФ 25 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SH025M3300B7F-1632 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 3300 мкФ 25 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SH025M3300B7F-1632 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 3300 мкФ 25 В
|
|
|
|
|
|
|
|
SK025M0470B3F-0815 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SK025M0470B3F-0815 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SK025M0470B3F-0815 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SK025M0470B3F-0815 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В
|
|
|
|
|
Версия для печати
