SPB02N60C3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SPB02N60C3		90.44
SPB02N60C3 (INFINEON.)	496	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SPB02N60C3

Корпус	PG-TO263-3
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Тип монтажа	Поверхностный
Power - Max	25W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 80µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.8A
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 1.1A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	CoolMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SPP02N60C3 (Мощные полевые МОП транзисторы)

Cool MOSTM Power Transistor

Также в этом файле: SPB02N60C3

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

SPB02N60C3 datasheet
283.23Kb
12стр.