IRGPS60B120KD
Транзистор IGBT модуль единичный
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
IRGPS60B120KD |
 |
1 123.00
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики IRGPS60B120KD
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.75V @ 15V, 60A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 105A |
| Power - Max | 595W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-274AA |
| Корпус | SUPER-247 (TO-274AA) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
IRGPS60B120KD
Insulated Gate Bipolar Transistor With Ultrafast Soft Recovery Diode
Производитель:
International Rectifier
|
