IRFB17N20D

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFB17N20D		93.68

Версия для печати

Технические характеристики IRFB17N20D

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 9.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	16A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	50nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1100pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB17N20D (N-канальные транзисторные модули)

HEXFETand#174; Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFB17N20D datasheet
197.23Kb
11стр.