IRF7811A
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 11A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 28V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1760pF @ 15V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7811AV 30V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA SO-8 Package
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DO5022P-102MLD | COILCRAFT |
|
|
|||||
| DO5022P-102MLD | COILCRAFT |
|
|
|||||
| DO5022P-102MLD |
|
|
||||||
| LC01-6 | SEMTECH |
|
|
|||||
| LC01-6 | SEMTECH |
|
|
|||||
| LQH32CN4R7M33L 4.7МКГН 20% 1210 ЧИП ИНДУКТИВНОСТЬ | MURATA | 259 | 6.36 | |||||
| LQH32CN4R7M33L 4.7МКГН 20% 1210 ЧИП ИНДУКТИВНОСТЬ | 324 |
|
|
|||||
 |
 |
PM3316-1R5M-RC |
|
JW Miller A Bourns Company |
|
|
||
|
|
|
PM3316-1R5M-RC |
|
|
|
|||
| SRDA3.3-4 | SEMTECH |
|
|
|||||
| SRDA3.3-4 |
|
|
||||||
| SRDA3.3-4 | SEMTECH |
|
|
