|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1680pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
|
IRF7488 (Дискретные сигналы) Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2РМДТ27Б19Г5А1В |
|
2 188.00 | ||||||
| 2РМДТ27Б19Г5А1В |
|
2 188.00 | ||||||
| 2РМДТ27Б19Г5А1В | ЭЛЕКОН |
|
|
|||||
| 2РМДТ33Б32Ш5А1В |
|
|
||||||
| 2РМДТ33Б32Ш5А1В |
|
|
||||||
| 2РМДТ33Б32Ш5А1В | ЭЛЕКОН | 26 | 15 850.24 | |||||
|
|
2С156А |
|
Стабилитрон малой мощности в стеклянном корпусе 0.3Вт, 5.6В, 55мА | 2 176 | 99.36 | |||
|
|
2С156А |
|
Стабилитрон малой мощности в стеклянном корпусе 0.3Вт, 5.6В, 55мА | НЗПП | 2 996 | 216.97 | ||
|
|
2С156А |
|
Стабилитрон малой мощности в стеклянном корпусе 0.3Вт, 5.6В, 55мА | НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП |
|
|
||
|
|
2С156А |
|
Стабилитрон малой мощности в стеклянном корпусе 0.3Вт, 5.6В, 55мА | НОВОСИБИРСК | 38 | 21.20 | ||
|
|
2С156А |
|
Стабилитрон малой мощности в стеклянном корпусе 0.3Вт, 5.6В, 55мА | RUS |
|
|
||
| ATMEGA32-16AU TQFP-44 |
|
|
||||||
| К590КН8А |
|
132.48 | ||||||
| К590КН8А | СВЕТЛАНА |
|
|