|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1680pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
|
IRF7488 (Дискретные сигналы) Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
VS-10MQ060NTR |
|
Диод Шоттки выпрямительный 2.1А, 60В, 40А | VISHAY |
|
|
|
| LM1881N/NOPB | NSC |
|
|
|||||
| LM1881N/NOPB | National Semiconductor |
|
|
|||||
| LM1881N/NOPB | TEXAS INSTRUMEN |
|
|
|||||
| LM1881N/NOPB | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| LM1881N/NOPB | TEXAS |
|
|
|||||
| LM1881N/NOPB |
|
|
||||||
| MF-4F |
|
24.12 | ||||||
| MF-4F | BM |
|
|
|||||
| MF-4F | TYCO |
|
|
|||||
| MF-4F | HSUAN MAO |
|
|
|||||
| MF-4F | KLS |
|
|
|||||
| MF-4F | BB |
|
|
|||||
| TCMT1100 |
|
|
||||||
| TCMT1100 | VISHAY | 1 318 |
|
|||||
| TCMT1100 | Vishay/Semiconductors |
|
|
|||||
| TCMT1100 | VISHAY | 1 584 | 39.10 | |||||
| TCMT1100 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 178 |
|
|||||
| РС32АТВ | 12 | 4 625.00 |