IRF7484
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 14A, 7V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 14A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 100nC @ 7V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3520pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7484 (Дискретные сигналы) Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
FDS4410 | FAIR |
|
|
|||
|
|
|
FDS4410 | FSC |
|
|
|||
|
|
|
FDS4410 | FAIRCHILD |
|
|
|||
|
|
|
FDS4410 |
|
116.00 | ||||
|
|
|
FDS4410 | FAIRCHILD |
|
|
|||
|
|
|
FDS4410 | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||
|
|
|
FDS4410 | FSC1 |
|
|
|||
|
|
|
FDS4410 | A&O |
|
|
|||
|
|
|
FDS4410 | ONS |
|
|
|||
|
|
|
FDS4410 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 498 |
|
|||
| SN65LVDS1D | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| SN65LVDS1D |
|
300.00 | ||||||
| SN65LVDS1D | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| SN65LVDS1D | TEXAS |
|
|
|||||
| SN65LVDS1D | 4-7 НЕДЕЛЬ | 728 |
|
|||||
| SN65LVDS1DBV |
|
278.40 | ||||||
| SN65LVDS1DBV | TEXAS INSTRUMENTS | 8 | 112.44 | |||||
| SN65LVDS1DBV | TEXAS INSTRUMENTS | 4 |
|
|||||
| SN65LVDS1DBV | 4-7 НЕДЕЛЬ | 101 |
|
|||||
| SN65LVDS1DBVR | TEXAS INSTRUMENTS | 52 | 105.73 | |||||
| SN65LVDS1DBVR | TEXAS INSTRUMENTS | 110 |
|
|||||
| SN65LVDS1DBVR | TEXAS |
|
|
|||||
| SN65LVDS1DBVR |
|
|
||||||
| SN65LVDS1DBVR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 120 |
|
|||||
| SN65LVDS1DBVTG4 | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| SN65LVDS1DBVTG4 | TEXAS |
|
|
