Версия для печати
Технические характеристики IRF7484

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 14A, 7V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	14A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	100nC @ 7V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3520pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

IRF7484 (Дискретные сигналы) Hexfet Power Mosfet Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF7484 datasheet 194.33Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FDS4410			FAIR
		FDS4410			FSC
		FDS4410			FAIRCHILD
		FDS4410					116.00
		FDS4410			FAIRCHILD
		FDS4410			Fairchild Semiconductor
		FDS4410			FSC1
		FDS4410			A&O
		FDS4410			ONS
		FDS4410			4-7 НЕДЕЛЬ	498
		FDS4435		Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	FAIR
		FDS4435		Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	FSC
		FDS4435		Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	FAIRCHILD
		FDS4435		Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт			174.00
		FDS4435		Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	FAIRCHILD
		FDS4435		Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	Fairchild Semiconductor
		FDS4435		Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	КИТАЙ
		FDS4435		Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	ONS
		FDS4435		Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт	4-7 НЕДЕЛЬ	214
		SN65LVDS1DBVR			TEXAS INSTRUMENTS	58	134.32
		SN65LVDS1DBVR			TEXAS INSTRUMENTS	110
		SN65LVDS1DBVR			TEXAS
		SN65LVDS1DBVR
		SN65LVDS1DBVR			4-7 НЕДЕЛЬ	120
		SN65LVDS1DBVTG4			TEXAS INSTRUMENTS
		SN65LVDS1DBVTG4			TEXAS
		SN65LVDS2DBV					89.60
		SN65LVDS2DBV			4-7 НЕДЕЛЬ	370

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"