IPS521S
Транзистор полевой Power Switch
|
|
Версия для печати
| Корпус | D2Pak (SMD-220 5-Lead) |
| Корпус (размер) | TO-263-5, D²Pak (4 leads + Tab), TO-263BB |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
| Напряжение питания | 5.5 V ~ 35 V |
| Ток - выходной (пиковое значение) | 10A |
| Ток выходной / канал | 1.9A |
| Сопротивление (On-State) | 55 mOhm |
| Число выходов | 1 |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Тип | High Side |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IPS521 (N-канальные транзисторные модули) FULLY PROTECTED HIGH SIDE POWER MOSFET SWITCH Также в этом файле: IPS521S
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IN74AC132D | IK SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| IN74AC132D |
|
56.00 | ||||||
| IN74AC132D | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|||||
| IN74AC132D | 4-7 НЕДЕЛЬ | 592 |
|
|||||
 |
 |
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | 2 159 | 27.75 | ||
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | КРЕМНИЙ | 480 | 28.35 | |
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | БРЯНСК | 3 729 | 37.80 | |
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
