GA250TD120U
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
GA250TD120U |
 |
25 880.00
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики GA250TD120U
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Конфигурация | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 250A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 250A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 44.517nF @ 30V |
| Power - Max | 1250W |
| Вход | Standard |
| NTC Thermistor | Нет |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
| Корпус | Double INT-A-PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
GA250TD120U (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором))
"HALF-BRIDGE" IGBT DOUBLE INT-A-PAK
Производитель:
International Rectifier
|
