BC859CLT1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BC859CLT1		3.88

Версия для печати

Технические характеристики BC859CLT1

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	420 @ 2mA, 5V
Power - Max	225mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Wire Change 08/May/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC856ALT1 (Универсальные биполярные транзисторы)

General Purpose Transistors PNP Silicon

Также в этом файле: BC859CLT1

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

BC859CLT1 datasheet
112.6Kb
8стр.