| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
11.0592 MHZ HC-49S |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
11.0592 MHZ HC-49S |
|
|
FRONTER
|
|
|
|
|
|
|
11.0592 MHZ HC-49S |
|
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
B82721K2122N020 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
B82721K2122N020 |
|
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
|
B82721K2122N020 |
|
|
TDK
|
|
|
|
|
|
|
B82721K2122N020 |
|
|
TDK-EPC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 608
|
1.86
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
28 124
|
3.25
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
79 154
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
278 103
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
14 435
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.69
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
3 696
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
3.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
304 129
|
2.03
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
50 400
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
XXW
|
87 703
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
CTK
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KEEN SIDE
|
769
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE
|
1 692
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
2375
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
935
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DAYA
|
4 800
|
1.30
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KEXIN
|
4 800
|
1.30
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ZITEK
|
4 000
|
1.30
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
3000
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
RUME
|
72 000
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SLKOR
|
21 600
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
|
MCP633-E/SN |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
MCP633-E/SN |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
MCP633-E/SN |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MCP633-E/SN |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
JIFU SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
|
18 320
|
3.35
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
FAIRCHILD
|
1 296
|
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
JIFU SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
45
|
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
MIC
|
11 277
|
7.27
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
YJ
|
45 557
|
6.81
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
HOTTECH
|
2 848
|
3.48
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
JSCJ
|
36 240
|
5.62
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
1
|
|
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
MDD
|
22 086
|
3.96
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
TWGMC
|
68
|
3.85
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
<>
|
21 600
|
3.86
|
|
|
|
SS34 |
|
Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C)
|
TRR
|
8 800
|
2.46
|
|