MUR1100ERLG
Ультрабыстрый диод 1000V 1A
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | SWITCHMODE™ |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 1A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V (1kV) |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 1000V |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 100ns |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Корпус | Axial |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HEF4001BP |
|
CMOS четыре логических элемента 2ИЛИ-HЕ | NXP |
|
|
|||
| HEF4001BP |
|
CMOS четыре логических элемента 2ИЛИ-HЕ | PHILIPS | 400 | 34.02 | |||
| HEF4001BP |
|
CMOS четыре логических элемента 2ИЛИ-HЕ | 2 | 56.70 | ||||
| HEF4001BP |
|
CMOS четыре логических элемента 2ИЛИ-HЕ | PHILIPS |
|
|
|||
| HEF4001BP |
|
CMOS четыре логических элемента 2ИЛИ-HЕ | PHILIPS SEMIC |
|
|
|||
| HEF4001BP |
|
CMOS четыре логических элемента 2ИЛИ-HЕ | 2 | 56.70 | ||||
| HEF4001BP |
|
CMOS четыре логических элемента 2ИЛИ-HЕ | NEX |
|
|
|||
| HEF4001BP |
|
CMOS четыре логических элемента 2ИЛИ-HЕ | 4-7 НЕДЕЛЬ | 96 |
|
|||
| VS-30CPQ080 | VISHAY |
|
|
|||||
| К50-35-50В-0.47МКФ |
|
|
||||||
 |
КД226Г | 344 | 17.30 | |||||
|
|
КД226Г | НПП ТЭЗ |
|
|
||||
|
|
КД226Г | ТОМИЛИНО |
|
|
||||
|
|
КД226Г | САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ |
|
|
||||
|
|
КД226Г | RUS |
|
|
||||
|
|
КД226Г | СЗТП | 80 | 18.90 | ||||
|
|
КД226Г | САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО |
|
|
||||
| МЛТ-1-10 ОМ-5% |
|
Резистор постоянный металлопленочный лакированный теплостойкий, металлодиэлектрический ... |
|
|
