| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
KP-2012SEC |
|
SMD индикатор
|
KB
|
|
|
|
|
|
|
KP-2012SEC |
|
SMD индикатор
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
|
KP-2012SEC |
|
SMD индикатор
|
|
|
9.20
|
|
|
|
|
KP-2012SEC |
|
SMD индикатор
|
KGB
|
5 725
|
12.67
|
|
|
|
|
KP-2012SEC |
|
SMD индикатор
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
К50-68И-16В-470МКФ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КД213Б |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,17мкс
|
|
30
|
74.00
|
|
|
|
|
КД213Б |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,17мкс
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
|
КД213Б |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,17мкс
|
СЗТП
|
8
|
214.72
|
|
|
|
|
КД213Б |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,17мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КД512Б |
|
|
|
1 033
|
3.12
|
|
|
|
|
КД512Б |
|
|
БОЛОХОВСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КД512Б |
|
|
БОЛХОВ
|
91 187
|
2.12
|
|
|
|
|
КД512Б |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД512Б |
|
|
БОЛХОВСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
|
681
|
34.59
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
КРЕМНИЙ
|
1 200
|
33.57
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
БРЯНСК
|
1 586
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
МИНСК
|
297
|
25.44
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ817Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт
|
1988
|
|
|
|
Версия для печати
