| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
CA3046 |
|
Набор NPN транз. x 5 15V 0.05A Кус=100 -55..+125C
|
ITL/HAR
|
|
|
|
|
|
|
CA3046 |
|
Набор NPN транз. x 5 15V 0.05A Кус=100 -55..+125C
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
|
CA3046 |
|
Набор NPN транз. x 5 15V 0.05A Кус=100 -55..+125C
|
ITL
|
|
|
|
|
|
|
CA3046 |
|
Набор NPN транз. x 5 15V 0.05A Кус=100 -55..+125C
|
HARR
|
|
|
|
|
|
|
CA3046 |
|
Набор NPN транз. x 5 15V 0.05A Кус=100 -55..+125C
|
|
|
165.20
|
|
|
|
|
CA3046 |
|
Набор NPN транз. x 5 15V 0.05A Кус=100 -55..+125C
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
CA3046 |
|
Набор NPN транз. x 5 15V 0.05A Кус=100 -55..+125C
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
|
CA3046 |
|
Набор NPN транз. x 5 15V 0.05A Кус=100 -55..+125C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
218
|
|
|
|
|
|
CF-0.25-1.8K 5% |
|
Резистор углеродистый
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
CF-0.25-1.8K 5% |
|
Резистор углеродистый
|
|
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
 |
 |
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
34.36
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
2 306
|
8.87
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
|
|
|
SQP-3W-3.3 5% |
|
Резистор постоянный керамический прямоугольный
|
TAIWAN
|
|
|
|
|
|
|
SQP-3W-3.3 5% |
|
Резистор постоянный керамический прямоугольный
|
|
|
14.00
|
|
|
|
|
КР1533ИЕ19 |
|
ИМ транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, сдвоенный четырехразрядный ...
|
|
2
|
46.08
|
|
|
|
|
КР1533ИЕ19 |
|
ИМ транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, сдвоенный четырехразрядный ...
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ИЕ19 |
|
ИМ транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, сдвоенный четырехразрядный ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ИЕ19 |
|
ИМ транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, сдвоенный четырехразрядный ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ИЕ19 |
|
ИМ транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, сдвоенный четырехразрядный ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ИЕ19 |
|
ИМ транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ, сдвоенный четырехразрядный ...
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
