| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IR53HD420 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором + Диод. Uсм=500В, Iвых=0.5A Тбл=1.2мкс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
3 717
|
252.00
|
|
|
|
|
IR53HD420 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором + Диод. Uсм=500В, Iвых=0.5A Тбл=1.2мкс
|
|
|
252.24
|
|
|
|
|
IR53HD420 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором + Диод. Uсм=500В, Iвых=0.5A Тбл=1.2мкс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
238
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
62.37
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
|
|
53.40
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
|
|
904.00
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
IR/VISHAY
|
29
|
1 089.00
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
|
|
217.36
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
WTE
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
MIC
|
95
|
99.60
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
SEP
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
YANGJIE
|
8 880
|
88.20
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3510W |
|
Диодный мост 35А, 1000В
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
UC3825ADW |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
UC3825ADW |
|
|
|
|
648.00
|
|
|
|
|
UC3825ADW |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
618
|
|
|
Версия для печати
