| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
DC COMPONENTS
|
9 052
|
1.73
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
|
12 313
|
1.07
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
ELZET
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
NGBO YOUNG ELECTRON
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
КИТАЙ
|
80
|
6.80
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
MIG
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
MCC
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
MIC
|
6 580
|
1.38
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
KINGTRONICS
|
7
|
3.10
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
1 683
|
1.90
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
YJ
|
176
|
2.07
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
WUXI XUYANG
|
31 548
|
1.89
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
YANGJIE
|
11 600
|
1.74
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
0.00
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
HOTTECH
|
19 200
|
1.22
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
1
|
|
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
CTK
|
30
|
1.74
|
|
|
|
FR157 |
|
Импульсный диод 1000V, 1,5A, 500nS
|
KEEN SIDE
|
5 016
|
1.05
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
62.37
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
|
20
|
74.00
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
1
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.125-10.0K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 10кОм, 1%
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.125-10.0K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 10кОм, 1%
|
|
|
2.80
|
|
|
|
|
MF-0.125-12.0K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.125-12.0K 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
|
21
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|