| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
3296X 10K |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 10кОм, 0.5Вт, 10%
|
|
|
|
|
|
|
|
CY7C1382D-200AXC |
|
|
CYPRESS
|
|
|
|
|
|
|
CY7C1382D-200AXC |
|
|
CYPR
|
|
|
|
|
|
|
CY7C1382D-200AXC |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
CY7C1382D-200AXC |
|
|
CYPRESS
|
|
|
|
|
|
|
CY7C1382D-200AXC |
|
|
Cypress Semiconductor Corp
|
|
|
|
|
|
|
CY7C1382D-200AXC |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
83
|
|
|
|
|
|
L-424GDT |
|
Единичный светодиод, зеленый 568nm, цилиндрический 3мм, 4mcd@20mA, диффузная линза
|
KB
|
|
|
|
|
|
|
L-424GDT |
|
Единичный светодиод, зеленый 568nm, цилиндрический 3мм, 4mcd@20mA, диффузная линза
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
|
L-424GDT |
|
Единичный светодиод, зеленый 568nm, цилиндрический 3мм, 4mcd@20mA, диффузная линза
|
KGB
|
8 496
|
6.78
|
|
|
|
|
L-424GDT |
|
Единичный светодиод, зеленый 568nm, цилиндрический 3мм, 4mcd@20mA, диффузная линза
|
|
2 951
|
13.84
|
|
|
|
|
L-424GDT |
|
Единичный светодиод, зеленый 568nm, цилиндрический 3мм, 4mcd@20mA, диффузная линза
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
L-424IDT |
|
Единичный светодиод 3мм, плоский, красный
|
KB
|
|
|
|
|
|
|
L-424IDT |
|
Единичный светодиод 3мм, плоский, красный
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
|
L-424IDT |
|
Единичный светодиод 3мм, плоский, красный
|
KGB
|
6 738
|
9.02
|
|
|
|
|
L-424IDT |
|
Единичный светодиод 3мм, плоский, красный
|
|
1 432
|
15.97
|
|
|
|
|
L-424IDT |
|
Единичный светодиод 3мм, плоский, красный
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
|
L-424IDT |
|
Единичный светодиод 3мм, плоский, красный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
2 900
|
18.90
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
462
|
14.84
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
6 316
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
4 259
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
37
|
12.49
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
2480
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
3
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
400
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
4356
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
595
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
6447
|
|
|
|
Версия для печати
