| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
220МКФ 63В (10Х16) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 63В
|
CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
220МКФ 63В (10Х16) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 63В
|
|
|
24.00
|
|
|
|
|
470МКФ 10В (6.3Х11) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 10В
|
CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
470МКФ 10В (6.3Х11) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 10В
|
|
|
9.60
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
|
804
|
13.13
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
476
|
14.46
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
PILIPINES
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHANGJIANG
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
72
|
3.77
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
22 444
|
6.05
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИМОРТ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
RUME
|
4 438
|
3.60
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
TRR
|
7 200
|
3.70
|
|
|
|
|
CF-0.125-4.7K 5% |
|
Резистор углеродистый
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
CF-0.125-4.7K 5% |
|
Резистор углеродистый
|
|
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
|
2 948
|
25.20
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
ДНЕПР
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
АЗОН
|
|
|
|