|
|
Версия для печати
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 14A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 47nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 660pF @ 50V |
| Power - Max | 33W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack |
| Корпус | TO-220AB Full-Pak |
|
IRLIB9343 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
IRLIB4343 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 19A, 39W (Logic-Level) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRLIB4343 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 19A, 39W (Logic-Level) |
|
|
||
|
|
SR1100 (1A 100V) |
|
|
|||||
| SR510 (5A 100V) |
|
|
||||||
|
|
|
КП508А |
|
Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | 180 | 60.48 | ||
|
|
|
КП508А |
|
Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | МИНСК | 1 149 | 33.60 | |
|
|
|
КП508А |
|
Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | ИНТЕГРАЛ |
|
|