IRLI2910

Версия для печати

Технические характеристики IRLI2910

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	31A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	140nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3700pF @ 25V
Power - Max	63W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220AB Full-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLI2910 (N-канальные транзисторные модули)

Hexfet Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRLI2910 datasheet
145.64Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC1815	Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	CHANGJIANG ELECTRONIC TECH
2SC1815	Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	DC COMPONENTS	4 896	3.17
2SC1815	Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz		21 365	2.00 >100 шт. 1.00
2SC1815	Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	CHANGJIANG ELECTRONIC TECH CO
2SC1815	Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOSHIBA
2Т950А			9	3 404.00
2Т950А		ПУЛЬСАР	15	4 200.00
IRFP260NPBF	Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP260NPBF	Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP260NPBF	Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W	INFINEON	6 011	140.19
IRFP260NPBF	Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W		1 053	121.62
LM2576T-15G		ON SEMICONDUCTOR
LM2576T-15G		ONS
PIC17C756A-33I/L	4Kx14 Flash 36I/O 20MHz	MICRO CHIP
PIC17C756A-33I/L	4Kx14 Flash 36I/O 20MHz	Microchip Technology
PIC17C756A-33I/L	4Kx14 Flash 36I/O 20MHz
PIC17C756A-33I/L	4Kx14 Flash 36I/O 20MHz
PIC17C756A-33I/L	4Kx14 Flash 36I/O 20MHz	4-7 НЕДЕЛЬ	588