IRGB6B60KD
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 5A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 13A |
| Power - Max | 90W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRGB6B60KD Insulated Gate Bipolar Transistor With Ultrafast Soft Recovery Diode
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IR2106S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=50нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.12/0.25мА | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IR2106S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=50нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.12/0.25мА | 7 | 211.68 | ||
|
|
|
IR2106S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=50нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.12/0.25мА | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IR2106S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=50нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.12/0.25мА | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IR2106S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=50нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.12/0.25мА | 1 |
|
|
|
|
|
|
IR2106S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс=50нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.12/0.25мА | 4-7 НЕДЕЛЬ | 154 |
|
