Версия для печати
Технические характеристики IRGB4B60KD1
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 4A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 11A |
| Power - Max | 63W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
IRGB4B60KD1
Insulated Gate Bipolar Transistor With Ultrafast Soft Recovery Diode
Производитель:
International Rectifier
|
