IRFS31N20DPBF
Транзистор N-канальный MOSFET 200V 31A
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 18A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 31A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 107nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2370pF @ 25V |
| Power - Max | 3.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FJAF6920 |
|
NPN hi-res, 1700V, 20A, 60W, Tf<300nS | FAIR |
|
|
||
|
|
FJAF6920 |
|
NPN hi-res, 1700V, 20A, 60W, Tf<300nS |
|
272.00 | |||
|
|
FJAF6920 |
|
NPN hi-res, 1700V, 20A, 60W, Tf<300nS | FSC1 |
|
|
||
|
|
FJAF6920 |
|
NPN hi-res, 1700V, 20A, 60W, Tf<300nS | FSC |
|
|
||
|
|
FJAF6920 |
|
NPN hi-res, 1700V, 20A, 60W, Tf<300nS | ONS |
|
|
||
|
|
LX5510 |
|
Микросхема усилитель 2,4- 2,5 МГц | LINEAR TECHNOLOGY |
|
|
||
|
|
LX5510 |
|
Микросхема усилитель 2,4- 2,5 МГц |
|
551.76 | |||
|
|
LX5510 |
|
Микросхема усилитель 2,4- 2,5 МГц | 4-7 НЕДЕЛЬ | 72 |
|
