IRFPS37N50APBF
Hexfet® power mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 22A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 36A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5579pF @ 25V |
| Power - Max | 446W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-274AA |
| Корпус | SUPER-247 (TO-274AA) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFPS37N50APBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HA17358 (LM358N) | HITACHI |
|
|
|||||
| HA17358 (LM358N) |
|
|
||||||
 |
 |
ICE2A165 |
|
SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz | INFINEON | 14 | 157.50 | |
|
|
|
ICE2A165 |
|
SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz |
|
156.80 | ||
|
|
|
ICE2A165 |
|
SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
ICE2A165 |
|
SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz | США |
|
|
|
|
|
|
ICE2A165 |
|
SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
|
|
|
|
ICE2A165 |
|
SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz | INFINEON TECH |
|
|
|
|
|
|
ICE2A165 |
|
SMPS упpавление MOSFET, 650V/3 Om / Fmax=100 kHz | 4-7 НЕДЕЛЬ | 632 |
|
|
| UC3846N(SG3846N) | TEXAS |
|
|
