Версия для печати
Технические характеристики IRFPC50

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	140nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2700pF @ 25V
Power - Max	180W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

IRFPC50 (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet (vdss=600v, Rds (on) =0.60ohm, Id=11a) Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFPC50 datasheet 167.72Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD538		Транзистор S-P 80В 4A 50Вт TO126	MOTOROLA
		BD538		Транзистор S-P 80В 4A 50Вт TO126	ST MICROELECTRONICS
		BD538		Транзистор S-P 80В 4A 50Вт TO126	MOTOROLA
		BD538		Транзистор S-P 80В 4A 50Вт TO126	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TDA16846		Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz			622.44
		TDA16846		Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz	INFINEON
		TDA16846		Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz	INFINEON
		TDA16846		Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz	Infineon Technologies
		TDA16846		Микросхема SMPS упpавление MOSFET, F=00 kHz	4-7 НЕДЕЛЬ	76
		К50-35-16В-470 МКФ		Конденсаторы оксидно-электролитические алюминиевые изолированные и неизолированные ...
		КР544УД1А		Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...		215	126.96
		КР544УД1А		Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	МИКРО-М	4 425	158.10
		КР544УД1А		Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	САРАНСК
		КР544УД1А		Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	НОВОСИБИРСК
		КР544УД1А		Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	КИЕВ
		КР544УД1А		Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	ММ
		КР544УД1А		Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	RUS
		КР544УД1А		Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	ВИСМУТ
		КР544УД1А		Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	МОСКВА
		КР544УД1А		Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	МИКРОН
		КР544УД1А		Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	МИКРОМ
		КР544УД1А		Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	МИКРО М
		КР544УД1А		Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	5561
		КР544УД1А		Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...	711
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт		339	27.90
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	КРЕМНИЙ	1 732	33.57
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	БРЯНСК	1 586	33.48
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	МИНСК
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	УЛЬЯНОВСК
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	RUS
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	ИНТЕГРАЛ
		КТ817Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	1988

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"