Версия для печати
Технические характеристики IRFP460LC

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3600pF @ 25V
Power - Max	280W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

IRFP460LC (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFP460LC datasheet 293.17Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC3688		Биполярный транзистор NPN hi-res (1500V, 10A, 150W)	SANYO
		2SC3688		Биполярный транзистор NPN hi-res (1500V, 10A, 150W)			64.56
		ST13007		Транзистор биполярный большой мощности NPN 700В, 8A, 80Вт	ST MICROELECTRONICS
		ST13007		Транзистор биполярный большой мощности NPN 700В, 8A, 80Вт			38.00
		ST13007		Транзистор биполярный большой мощности NPN 700В, 8A, 80Вт	STMicroelectronics
		ST13007		Транзистор биполярный большой мощности NPN 700В, 8A, 80Вт	ФИЛИППИНЫ
		ST13007		Транзистор биполярный большой мощности NPN 700В, 8A, 80Вт	ST1
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	MICRO SEMICONDUCTOR
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	CENTRAL SEMI
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	FAIR
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	MASTER INSTRUMENT CO
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	MCC
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	DIOTEC	6 616	8.79
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	SEMICRON
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	FAIRCHILD
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	GALAXY
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	CENTRAL SEMI
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	FAIRCHILD	12 903
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	Fairchild Semiconductor
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	КИТАЙ
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	DC COMPONENTS	12 696	2.47
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	MIC	22 467	1.06
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	KINGTRON
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)		167	11.34
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	KINGTRONICS
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	FSC
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	ONS
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	ONS-FAIR
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	YJ	36 000	2.07
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	GALAXY ME
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	LRC
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	YANGJIE	24 000	2.36
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	YANGJIE (YJ)
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	HOTTECH
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	WUXI XUYANG
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	1
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	MDD
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	SUNTAN	12	1.54
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	YANGZHOU YANGJIE
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	KEEN SIDE	10 520	1.74  >100 шт.   0.87
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	ASEMI	52	1.39
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		2 194	17.64
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	507	14.84
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЭЛЕКС
		КТ503А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	36	1 093.12
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N		184	1 110.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК	142	1 547.60
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	14
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	82
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	84

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"