IRFL9014
Транзистор полевой
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 1.1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 270pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFL9014 (P-канальные транзисторные модули) Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 10МКФ25В5X5105°C | JAMICON | 800 | 7.81 | |||||
 |
 |
74HC14PW,112 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
74HC14PW,112 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
74HC14PW,112 |
|
NEX |
|
|
||
|
|
|
74HC14PW,112 |
|
|
|
|||
| LQW2BHN3N3D03L | MURATA |
|
|
|||||
| LQW2BHN3N3D03L | MUR |
|
|
|||||
| LQW2BHN3N3D03L |
|
|
||||||
| LQW2BHN3N3D03L | MURATA | 1 142 |
|
|||||
| MAX481ECSA+T | MAX |
|
|
|||||
 |
ЭКФ1533ТМ2 | 60 | 48.00 | |||||
|
|
ЭКФ1533ТМ2 | ЗПП |
|
|
||||
|
|
ЭКФ1533ТМ2 | ЗПП МИНСК |
|
|
||||
|
|
ЭКФ1533ТМ2 | МИНСК | 1 420 | 25.44 | ||||
|
|
ЭКФ1533ТМ2 | ИНТЕГРАЛ | 1 | 37.80 | ||||
|
|
ЭКФ1533ТМ2 | RUS |
|
|
||||
|
|
ЭКФ1533ТМ2 | 360 |
|
|
||||
|
|
ЭКФ1533ТМ2 | 635 |
|
|
||||
|
|
ЭКФ1533ТМ2 | 800 |
|
|
