IRFBF20S
|
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 1A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 490pF @ 25V |
| Power - Max | 3.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFBF20S (N-канальные транзисторные модули) 900V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UCC28600D | TEXAS INSTRUMENTS | 120 | 1 602.32 | ||||
|
|
UCC28600D |
|
280.00 | |||||
|
|
UCC28600D | TEXAS |
|
|
||||
|
|
UCC28600D | 4-7 НЕДЕЛЬ | 679 |
|
