IRFBA1405P
N канальный транзистор MOSFET, 55В, 174А, 330Вт
|
N канальный транзистор MOSFET |
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 101A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 174A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5480pF @ 25V |
| Power - Max | 330W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | Super-220™-3 (Straight Leads) |
| Корпус | SUPER-220™ (TO-273AA) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFBA1405P (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GT60N321 | TOS |
|
|
|||||
| GT60N321 |
|
|
||||||
| GT60N321 | TOSHIBA |
|
|
|||||
 |
 |
ICE3B1065 |
|
Infineon Technologies |
|
|
||
|
|
|
ICE3B1065 |
|
INFINEON |
|
|
||
|
|
|
ICE3B1065 |
|
|
|
|||
|
|
|
ICE3B1065 |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 520 |
|
||
 |
|
IRFBA1405PPBF |
|
N канальный транзистор MOSFET, 55В, 174А, 330Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFBA1405PPBF |
|
N канальный транзистор MOSFET, 55В, 174А, 330Вт | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRFBA1405PPBF |
|
N канальный транзистор MOSFET, 55В, 174А, 330Вт |
|
|
||
| БАТАРЕЯ ААА DURACELL TURBO |
|
208.00 | ||||||
| БАТАРЕЯ ААА DURACELL TURBO | БЕЛЬГИЯ |
|
|
|||||
| ТП-124- 7 220/13.2В-1.0А | КОМПЛЕКС |
|
|
|||||
| ТП-124- 7 220/13.2В-1.0А |
|
580.00 |
