IRFB4410

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFB4410		500.00

Версия для печати

Технические характеристики IRFB4410

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 58A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	96A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	180nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5150pF @ 50V
Power - Max	250W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB4410 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFB4410 datasheet
800 Кб

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SA1020 PNP 50V			ON SEMICONDUCTOR
		ECAP 1000/25V 1020 105C (TKR102M1EG21M)			JAMICON