IRF820A
Транзистор полевой
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 340pF @ 25V |
| Power - Max | 50W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF820AL (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET (Vdss=500V, Rds (on) max=3.0ohm, Id=2.5A) Также в этом файле: IRF820AS
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B32520-400В-0.033МКФJ | EPCOS |
|
|
|||||
| MF-0.5-1.0M 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический | CHINA |
|
|
|||
| MF-0.5-1.0M 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический |
|
1.32 | ||||
 |
 |
MF-0.5-10K 5% |
|
Резистор металлодиэлектрический аксиальный 10кОм, 5%, 0,5Вт | CHINA |
|
|
|
|
|
|
MF-0.5-10K 5% |
|
Резистор металлодиэлектрический аксиальный 10кОм, 5%, 0,5Вт | 15 | 2.84 | ||
| TMLM 05112 | TRACO |
|
|
|||||
| TMLM 05112 |
|
|
||||||
 |
ГТ402И |
|
Биполярный транзистор | 1 | 128.52 | |||
|
|
ГТ402И |
|
Биполярный транзистор | БРЯНСК |
|
|
