IRF6622TR1
|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 15A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 15A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1450pF @ 13V |
| Power - Max | 2.2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DirectFET™ Isometric SQ |
| Корпус | DIRECTFET™ SQ |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru