Версия для печати
Технические характеристики IRF530NPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	17A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	37nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	920pF @ 25V
Power - Max	70W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SA733		Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)	NXP
		2SA733		Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)	NEC	28	7.50
		2SA733		Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)			5.00
		2SA733		Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		2SA733		Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)	ТАЙВАНЬ
		BZX55-C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	DC COMPONENTS	35 940	2.64
		BZX55-C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	NXP
		BZX55-C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
		BZX55-C5V1		Cтабилитрон универсальный 0.5Вт	KEEN SIDE	641	1.06  >100 шт.   0.53
		IRF9540NPBF		P-канальный полевой транзистор 140Вт, 100В, 23А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF9540NPBF		P-канальный полевой транзистор 140Вт, 100В, 23А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF9540NPBF		P-канальный полевой транзистор 140Вт, 100В, 23А	INFINEON	1 372	111.97
		IRF9540NPBF		P-канальный полевой транзистор 140Вт, 100В, 23А		880	21.00
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	КРЕМНИЙ	140	1 171.20
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А		26	592.00
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	БРЯНСК	129	1 473.40
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	СИТ
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	RUS
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	1
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	104
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	24
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	88
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	111	1 229.76
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N		184	1 110.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК	100	1 547.60
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	14
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	82
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	84

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"