IRF1010Z


Hexfet power mosfets discrete n-channel

Купить IRF1010Z ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF1010Z
Версия для печати

Технические характеристики IRF1010Z

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5 mOhm @ 75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C75A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs95nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2840pF @ 25V
Power - Max140W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF1010Z (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF1010Z datasheet
304.6 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    КР 1533 ТВ6     RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    КР1533ЛЕ4     ЗПП Заказ радиодеталей цена радиодетали
    КР1533ЛЕ4       4 37.80 
    КР1533ЛЕ4     МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
    КР1533ЛЕ4     ЗПП МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
    КР1533ЛЕ4     ИНТЕГРАЛ 334 49.14 
    ОКР1533ЛЕ4       Заказ радиодеталей 23.04 
    СП3-19А-0.5 ВТ 1 МОМ       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    СП3-19А-0.5ВТ-220КОМ 20%       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    СП3-19А-0.5ВТ-220КОМ 20%     МОСКВА Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход