| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0805-NP0-10PF 5% 50V |
|
Керамический конденсатор 10пФ, 50 В, 0805
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
0805-NP0-10PF 5% 50V |
|
Керамический конденсатор 10пФ, 50 В, 0805
|
|
|
3.32
|
|
|
|
3006P-1-101 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3006P-1-101 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3006P-1-101 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
|
8
|
32.00
|
|
|
|
3006P-1-101 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3006P-1-101 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
|
|
26.96
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
BOCHEN
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
32.13
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
1 763
|
8.52
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
|
|
|
PC2501=PS2501-1L |
|
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
PC2501=PS2501-1L |
|
|
|
|
22.36
|
|
|
|
|
PC2501=PS2501-1L |
|
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
|
PC2501=PS2501-1L |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
420
|
|
|