|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0805-NP0-10PF 5% 50V |
|
Керамический конденсатор 10пФ, 50 В, 0805
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
0805-NP0-10PF 5% 50V |
|
Керамический конденсатор 10пФ, 50 В, 0805
|
|
|
3.32
|
|
|
|
0805-NP0-4.7PF +/-0.25PF 50V |
|
Керамический конденсатор 4.7пФ, 50 В, +/-0.25PF
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
0805-NP0-4.7PF +/-0.25PF 50V |
|
Керамический конденсатор 4.7пФ, 50 В, +/-0.25PF
|
|
24
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
3006P-1-101 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3006P-1-101 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3006P-1-101 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
|
8
|
32.00
|
|
|
|
3006P-1-101 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3006P-1-101 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
|
|
26.96
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3006P-1-103 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...
|
BOCHEN
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
|
|
14.92
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FSC1
|
|
|
|