|
|
Версия для печати
| Производитель | Hitachi AIC Inc. |
| Количество в упаковке | 1 шт. |
| Вес | 102.800 г |
| Номинальное напряжение | 400 В |
| Срок службы | 6000 Ч |
| Размер корпуса | ф 40x61 |
| Рабочая температура | -40...85 °C |
| Код производителя | HP32G102MSB |
| Емкость | 1000 мкФ |
| Серия | HP3 |
| Корпус (размер) | Snap In |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип | Электролитический алюминиевый |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
16K1 F 100K |
|
Резистор углеродистый 0,125Вт, 100кОм | 3 |
|
||
|
|
|
16K1 F 100K |
|
Резистор углеродистый 0,125Вт, 100кОм | RUICHI |
|
|
|
|
|
16K1 F 200K |
|
|
|||||
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А | VISHAY | 66 | 82.77 | |
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А | ВЗПП |
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А | 40 | 21.52 | ||
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А | 15 |
|
|
|
|
|
KBPC5010W 50A 1000V | 136 | 93.56 | |||||
|
|
|
UF4007 (1A 1000В) |
|
Диод ультрабыстрый 1000В, 1А, 75нс/500нс | DC COMPONENTS |
|
|
|
|
|
|
UF4007 (1A 1000В) |
|
Диод ультрабыстрый 1000В, 1А, 75нс/500нс |
|
|