| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
ECAP 10/35V 0511 105C RD |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 35 В
|
SAMWHA
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 1000/16V 1016 105C RD |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16 В, 105 С
|
SAMWHA
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 1000/16V 1016 105C RD |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16 В, 105 С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 1000/16V 1016 105C RD |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 16 В, 105 С
|
|
|
15.24
|
|
|
|
HCPL3180-000E |
|
Оптопара 1 канальная 0 .5 ... 25В , 600мВт, 16мА, время вкл./выкл 0.1мкс, логический ...
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
HCPL3180-000E |
|
Оптопара 1 канальная 0 .5 ... 25В , 600мВт, 16мА, время вкл./выкл 0.1мкс, логический ...
|
BRO/AVAG
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
|
|
904.00
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ...
|
IR/VISHAY
|
15
|
1 125.45
|
|
|
|
TDA2616 |
|
Усилитель низкой частоты 21V, 2.2A, 2x12W (2x16V/8 Ом)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TDA2616 |
|
Усилитель низкой частоты 21V, 2.2A, 2x12W (2x16V/8 Ом)
|
|
|
123.40
|
|
|
|
TDA2616 |
|
Усилитель низкой частоты 21V, 2.2A, 2x12W (2x16V/8 Ом)
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
TDA2616 |
|
Усилитель низкой частоты 21V, 2.2A, 2x12W (2x16V/8 Ом)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
537
|
|
|