| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
|
559
|
5.55
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MIC
|
2 551
|
1.82
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIRCHILD
|
56
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY SEMI HOLDINGS CO LTD.
|
44
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MOTOROLA
|
53
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
OTHER
|
114
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
PHILIPS
|
70
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
136
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YJ
|
20 639
|
2.77
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
22
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
DC COMPONENTS
|
16 441
|
3.18
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
BL
|
3 780
|
3.18
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
JF
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MASTER INSTRUMENT
|
52
|
10.93
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
SUNTAN
|
1
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
JY
|
261
|
4.50
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
MD
|
397
|
3.18
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
LGE
|
1 108
|
2.37
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO. LTD Г. ЯНЧЖОУ
|
3
|
2.60
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
11475
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
3599
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
4726
|
|
|
|
|
|
1N5817 |
|
Диод Шоттки 20В, 1.0A
|
583
|
|
|
|
|
|
GRM31CR71H475KA12L |
|
Керамический конденсатор 4.7 мкФ, 50 В, 10%
|
MUR
|
221 423
|
3.46
|
|
|
|
GRM31CR71H475KA12L |
|
Керамический конденсатор 4.7 мкФ, 50 В, 10%
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
GRM31CR71H475KA12L |
|
Керамический конденсатор 4.7 мкФ, 50 В, 10%
|
|
|
|
|
|
|
GRM31CR71H475KA12L |
|
Керамический конденсатор 4.7 мкФ, 50 В, 10%
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
GRM31CR71H475KA12L |
|
Керамический конденсатор 4.7 мкФ, 50 В, 10%
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
LM7809CT |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
LM7809CT |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
LM7809CT |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
LM7809CT |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
LM7809CT |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
LM7809CT |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
LM7809CT |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
LM7809CT |
|
|
ISC
|
|
|
|
|
|
|
LM7809CT |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
336
|
|
|
|
|
|
PCHSN-12 |
|
|
|
63 700
|
7.64
|
|
|
|
|
PCHSN-12 |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
PCHSN-12 |
|
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
|
PCHSN-12 |
|
|
KLS
|
145 120
|
11.37
|
|
|
|
|
PCHSN-12 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
PCHSN-12 |
|
|
RUICHI
|
5 260
|
7.88
|
|
|
|
|
PCHSN-12 |
|
|
KEEN SIDE
|
1 788
|
6.96
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
|
83
|
34.96
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
32.79
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
БРЯНСК
|
401
|
38.16
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
3
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
428
|
|
|
|