| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
MICRO CHIP
|
290
|
189.00
|
|
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
|
392
|
135.37
|
|
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
MICRO CHIP
|
52
|
|
|
|
|
|
24LC256-I/P |
|
ИС памяти 1256бит, 132кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
429
|
|
|
|
|
|
DIP8-S-M |
|
|
NELTON
|
|
|
|
|
|
|
DIP8-S-M |
|
|
NELTRON
|
|
|
|
|
|
|
DIP8-S-M |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
DIP8-S-M |
|
|
HSUAN MAO
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.25-220 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.25-220 1% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
|
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
|
MF-0.5-22 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.5-22 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
|
140
|
2.84
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
32.13
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
2 776
|
8.57
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
Версия для печати
