| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
13 511
|
3.08
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
2 120
|
2.19
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
3 046
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
2 130
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIODES INC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
|
101 421
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
4 244
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
LRC
|
800
|
2.07
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KOME
|
10
|
1.76
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
28
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
32 806
|
2.20
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
TRR ELECTRONICS
|
13 852
|
1.35
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NEXPERIA
|
26
|
1.55
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.18
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
XXW
|
208
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CTK
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
66 812
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
ASEMI
|
1 322
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
4605
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
ELZET
|
62 000
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
TRR
|
136 800
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
DC COMPONENTS
|
37 884
|
1.88
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MCC
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
|
3
|
15.12
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
WTE
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
КИТАЙ
|
18
|
4.50
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MIC
|
18 603
|
3.33
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
YJ
|
38
|
4.13
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
KLS
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
YANGJIE
|
11 600
|
2.71
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MIG
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
1
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MDD
|
528
|
1.23
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
RUME
|
8 400
|
1.39
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
GOODWORK
|
1 360
|
2.22
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
KEEN SIDE
|
12 000
|
1.40
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
60
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
661
|
|
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
289
|
10.33
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
|
|
20.68
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
ROHM
|
620
|
65.83
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
LM393DR |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
262
|
|
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
|
|
268.00
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
MICRO CHIP
|
32
|
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G14DBVR |
|
Инвертер c триггером Шмидта (Ucc=1.65.5.5V t=-40+85C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
340
|
10.15
|
|
|
|
|
SN74LVC1G14DBVR |
|
Инвертер c триггером Шмидта (Ucc=1.65.5.5V t=-40+85C)
|
|
7 280
|
4.56
|
|
|
|
|
SN74LVC1G14DBVR |
|
Инвертер c триггером Шмидта (Ucc=1.65.5.5V t=-40+85C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
2 600
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G14DBVR |
|
Инвертер c триггером Шмидта (Ucc=1.65.5.5V t=-40+85C)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G14DBVR |
|
Инвертер c триггером Шмидта (Ucc=1.65.5.5V t=-40+85C)
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G14DBVR |
|
Инвертер c триггером Шмидта (Ucc=1.65.5.5V t=-40+85C)
|
YOUTAI
|
22 731
|
5.76
|
|
|
|
|
SN74LVC1G14DBVR |
|
Инвертер c триггером Шмидта (Ucc=1.65.5.5V t=-40+85C)
|
UMW
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G14DBVR |
|
Инвертер c триггером Шмидта (Ucc=1.65.5.5V t=-40+85C)
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G14DBVR |
|
Инвертер c триггером Шмидта (Ucc=1.65.5.5V t=-40+85C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC1G14DBVR |
|
Инвертер c триггером Шмидта (Ucc=1.65.5.5V t=-40+85C)
|
319
|
|
|
|