Версия для печати
Технические характеристики CPFC74NP-CB08M6

Производитель	SUMIDA CORPORATION
Количество в упаковке	1000 шт.
Вес	0.602 г
Импеданс	800 Ом
Максимальное омическое сопротивление	0.5 Ом
Напряжение номинальное DC	200 В
Тип монтажа	SMD
Размер корпуса	9.5x5.5x5.1 мм
Штамп	C08M
	DC Common Mode Choke Coil For CAN bus

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5401G			ON SEMICONDUCTOR
		2N5401G					10.00
		2N5401G			ONS
		2N5401G			ON SEMICONDUCTOR
		2N5551G			ON SEMICONDUCTOR
		2N5551G					9.20
		2N5551G			ONS
		2N5551G			ON SEMICONDUCTOR
		2SC3421		Биполярный транзистор NPN 120V, 1A, 10W, 120MHz	TOSHIBA
		2SC3421		Биполярный транзистор NPN 120V, 1A, 10W, 120MHz			52.00
		2SC3421		Биполярный транзистор NPN 120V, 1A, 10W, 120MHz	TOS
		2SC3421		Биполярный транзистор NPN 120V, 1A, 10W, 120MHz	СИНГАПУР
		2SC3421		Биполярный транзистор NPN 120V, 1A, 10W, 120MHz	NO TRADEMARK
		2SC3421		Биполярный транзистор NPN 120V, 1A, 10W, 120MHz	ISCSEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		4 200	12.92
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	105	16.80
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	681	10.47
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	10 740	6.04
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP	560	3.58
		NE5534P		Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	NEC
		NE5534P		Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	TEXAS INSTRUMENTS
		NE5534P		Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц			44.88
		NE5534P		Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	TEXAS INSTRUMENTS
		NE5534P		Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	TEXAS
		NE5534P		Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	TEXAS INSTRUMEN
		NE5534P		Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	1
		NE5534P		Операционный усилитель 1кан, (DIP8), 10 МГц	4-7 НЕДЕЛЬ	250

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"