CC0805JRNP09BN330
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | CC |
| Емкость | 33pF |
| Номинальное напряжение | 50V |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Температурный коэфициент | C0G, NP0 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -55°C ~ 125°C |
| Сфера применения | General Purpose |
| Корпус (размер) | 0805 (2012 Metric) |
| Size / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Thickness | 0.024" (0.60mm) |
| Тип | Керамический |
| Tolerance | ±5% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0603-X7R-3900PF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 3900 пФ 50 В | MURATA |
|
|
|||
| 0603-X7R-3900PF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 3900 пФ 50 В | 264 |
1.92 >100 шт. 0.96 |
||||
| LD1117S50TR | ST MICROELECTRONICS | 636 | 13.02 | |||||
| LD1117S50TR | 4 | 52.92 | ||||||
| LD1117S50TR | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| LD1117S50TR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| LD1117S50TR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 435 |
|
|||||
 |
PIC12F683-I/P |
|
2Kx14 Flash 6I/O 20MHz | MICRO CHIP |
|
|
||
|
|
PIC12F683-I/P |
|
2Kx14 Flash 6I/O 20MHz |
|
236.08 | |||
|
|
PIC12F683-I/P |
|
2Kx14 Flash 6I/O 20MHz | Microchip Technology |
|
|
||
|
|
PIC12F683-I/P |
|
2Kx14 Flash 6I/O 20MHz | ТАИЛАНД |
|
|
||
|
|
PIC12F683-I/P |
|
2Kx14 Flash 6I/O 20MHz | 4-7 НЕДЕЛЬ | 175 |
|
||
| КМ555ИЕ20 |
|
34.56 | ||||||
 |
КТ399АМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ... |
|
38.20 | |||
|
|
КТ399АМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ... | СВЕТЛАНА | 266 | 41.38 | ||
|
|
КТ399АМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ... | RUS |
|
|
