| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
CA6V-50К |
|
|
ACP
|
|
|
|
 |
 |
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
|
38
|
68.04
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
HGSEMI
|
1 936
|
32.02
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
|
1
|
55.80
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LF353N |
|
OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
КП303Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
|
|
52.80
|
|
|
|
|
КП303Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
|
КП303Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
|
417
|
7.36
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
199
|
15.62
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
2 545
|
10.60
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
3600
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ЕМ |
|
Транзистор структуры NPN универсальный
|
526
|
|
|
|
Версия для печати
