Версия для печати
Технические характеристики BUT11AF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	450V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max)	1mA
Power - Max	100W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220F

BUT11AF Silicon Diffused Power Transistor Производитель: Wing Shing Electronic //www.wingshing.com BUT11AF datasheet 73.84Kb 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		14D471K				98	23.12
		14D471K			HEL
		14D471K			470V 14MM
		14D471K			КИТАЙ
		2SC2335		Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220	FAIR
		2SC2335		Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220			60.00
		2SC2335		Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220	TOS
		2SC2335		Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220	КИТАЙ
		2SC2335		Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220	ISCSEMI
		2SC2335		Транзистор S-N, 500В, 7A, TO220	ISC
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INTERNATIONAL RECTIFIER	8	160.06
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A		2	267.12
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	ТАИЛАНД
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INFINEON
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	1
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	4-7 НЕДЕЛЬ	735
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	34.36
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	2 330	9.11
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	552
		STP9NK50Z		Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (500V, 7.2A, 110W, 0.85R)	ST MICROELECTRONICS
		STP9NK50Z		Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (500V, 7.2A, 110W, 0.85R)			113.20
		STP9NK50Z		Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (500V, 7.2A, 110W, 0.85R)	STMicroelectronics
		STP9NK50Z		Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (500V, 7.2A, 110W, 0.85R)	КИТАЙ
		STP9NK50Z		Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (500V, 7.2A, 110W, 0.85R)	ST MICROELECTRO
		STP9NK50Z		Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (500V, 7.2A, 110W, 0.85R)	4-7 НЕДЕЛЬ	267

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"