BT-12S 12VDC

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BT-12S 12VDC		150.72

Версия для печати

Технические характеристики BT-12S 12VDC

Производитель	Bestar Electronic Ltd
Количество в упаковке	25 шт.
Вес	6.002 г
Тип реле	Силовое
Управляющее напряжение	12 В
Мощность катушки	0.22 Вт
Рабочая температура	-30...80 °C
Тип контактов	2C
Нагрузка по постоянному току	1.25A/24VDC
Нагрузка по переменному току	0.5A/100VAC
Напряжение изоляции катушка-контакты	1000 В
Тип выводов	в отверстия
Герметичность корпуса (степень защиты от флюса)	герметичное
Размер	26.9x32.1x12.2 мм
Объём	10.535 см3
Площадь	8.635 см2

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
DF06M	Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)	GENERAL INSTRUMENT
DF06M	Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)		847	22.20
DF06M	Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)	FAIR
DF06M	Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)	GENERAL INSTRUMENT
DF06M	Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)	Fairchild Semiconductor
DF06M	Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)	Diodes Inc
DF06M	Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)	Vishay/Semiconductors
DF06M	Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)	FAIRCHILD
DF06M	Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)	FAIRCHILD
DF06M	Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)	LITE ON OPTO
DF06M	Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)	FSC
DF06M	Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)	ONS
DF06M	Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)	ONS-FAIR	709	20.07
DF06M	Диодный мост DIP 1A 420V(RMS)	DIODES
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	ST MICROELECTRONICS
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		243	98.28
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	STMicroelectronics
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	DMS
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX	18
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	КИТАЙ
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	BLUEROCK	745	33.84
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	1
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	IR/VISHAY	1	55.37
MF-0.5 1.1M 5%
MF-0.5 1.1M 5%		КИТАЙ
MF-0.5-1.1K 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
MF-0.5-1.1K 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический		18	2.84
P6KE6.8A-E3/54		VISHAY
P6KE6.8A-E3/54		Vishay/General Semiconductor
P6KE6.8A-E3/54		VISHAY
P6KE6.8A-E3/54